Ведущие теплофизики страны встретились в Обнинске

Учёные и специалисты организаций и предприятий Госкорпорации «Росатом», Российской академии наук и высших учебных заведений Москвы, Санкт-Петербурга, Подольска, Сарова, Нижнего

Читать далее

Открыт приём заявок на конкурс стипендий имени А.А. Сотникова

В Обнинске в рамках реализации муниципальной программы «Содействие развитию малого и среднего предпринимательства и инновационной деятельности в городе Обнинске», начинается

Читать далее

Российские теплофизики представят 95 докладов на научно-технической конференции в Обнинске

Научно-техническая конференция «Теплофизика реакторов нового поколения» («Теплофизика-2022») пройдёт с 14 по 16 сентября на базе Физико-энергетического института им. А.И. Лейпунского

Читать далее

ИВАН БОРТНИК ВЫСОКО ОЦЕНИЛ КАЛУЖСКИЙ ОПЫТ

Советник генерального директора и основатель Фонда содействия инновациям, известный учёный, профессор Национального исследовательского университета ВШЭ Иван Бортник принял участие в

Читать далее

Разработки Ростеха применены в иранском спутнике «Хайям»

Детали системы терморегулирования и энергообеспечения, произведенные на обнинском научно-производственном предприятии «Технология» им. А.Г.Ромашина Госкорпорации Ростех, обеспечили эффективное функционирование иранского космического

Читать далее

Ученые из Обнинска удостоены высоких государственных наград

Трое ученых из Обнинска удостоены высоких государственных наград. Это сотрудники Физико-энергетического института имени Лейпунского: руководители лабораторий Роман Кушнарев и Иван

Читать далее

Обнинский ФЭИ представит уникальную разработку на международной военной выставке

ГНЦ РФ – ФЭИ участвует в объединенной выставочной экспозиции Госкорпорации «Росатом» в рамках форума «Армия-2022», который проходит с 15 по

Читать далее

«Технология» нарастила объемы производства комплектующих для микросхем

Обнинское научно-производственное предприятие «Технология» им. А.Г. Ромашина почти в три раза увеличило производство ключевой составляющей пленочных интегральных микросхем для радиоэлектронной

Читать далее