Ведущему научному сотруднику отдела математического моделирования гетерогенных систем ФГУ «Федеральный исследовательский центр «Информатика и управление» Российской академии наук», доктору технических наук Вячеславу Александровичу Харченко исполнилось 80 лет.

Он  родился 14 марта 1941 г. в городе Алма-Ате. В 1965 г. окончил Московский институт стали и сплавов, в 1974-м защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата технических наук, в 1990-м — на соискание учёной степени доктора технических наук. После окончания института с 1965-го по 1987 гг. работал в обнинском филиале НИФХИ им. Л.Я. Карпова в должностях младшего научного сотрудника, старшего научного сотрудника, заведующего лабораторией. Сотрудники и руководство института всегда с уважением отзывались о Вячеславе Александровиче как об умелом руководителе и достойном начальнике.

С 1987-го по 1991 гг. В.А. Харченко работал в должностях начальника техотдела ПХМЗ (Подольск), главного металлурга НПО «РЕДМЕТ» (Москва). В это непростое время ему удалось сохранить коллектив и обеспечить заказами не только свой отдел, но и завод.  В 1991—1992 гг. он возглавлял НИИ материаловедения (Зеленоград). С 1992-го по 2000 гг. — директор ассоциации производителей и потребителей кремниевой продукции «СИЛИТЕХ», «Исследовательского центра проблем конверсии и  экспертизы» — дочерней фирмы государственного фонда конверсии. С 2000-го по 2006 гг. занимал должность заместителя  директора по научной работе ФГУП «ГИРЕДМЕТ». В период работы были подписаны несколько крупных контрактов и построен завод по получению трихлорсилана в КНДР.

С 2006-го по 2015 гг. В.А. Харченко— руководитель отделения материалов и компонентов электронной техники НТЦ радиоэлектронной борьбы, с 2015 г. — ведущий научный сотрудник ВЦ РАН ФИЦ ИУ РАН, где продолжает трудиться и в настоящее время.

В.А. Харченко — известный специалист в области материаловедения полупроводников и структур на их основе. Сфера научных интересов Вячеслава Александровича — фундаментальные исследования физики реальных кристаллов, образование и взаимодействие дефектов структуры в  процессах роста кристаллов и создания электронных структур. Влияние дефектов на свойства полупроводниковых материалов и электрические параметры электронных компонентов. Им выполнен цикл фундаментальных и прикладных исследований воздействия ядерных излучений на свойства различных полупроводниковых материалов, которые позволили заложить научные основы нового направления — ядерного легирования полупроводниковых материалов. Научные исследования в этой области доведены им до стадии промышленного освоения, на различных ядерных реакторах, что позволило решить важную народнохозяйственную задачу-обеспечение электронного приборостроения отечественным кремнием требуемого качества, заметно опередив США и западные страны.

Глубокие научные знания и широкая эрудиция позволяли В.А. Харченко на различных этапах своей научной и производственной деятельности достаточно успешно решать проблемы развития полупроводниковой отрасли и конверсии предприятий оборонных отраслей промышленности, возглавлять работы по научному сопровождению создания современных заводов полупроводникового кремния с замкнутым технологическим циклом.

В настоящее время им выполнен цикл исследований по обоснованию применения методов математического моделирования при решении проблем материаловедения полупроводников и гетероструктур, в том числе с наноразмерной топологией, опубликовано более 100 научных трудов, 20 авторских свидетельств и семь патентов, издана монография.

Вячеслав Александрович более 15 лет читал лекции в МИСиС по спецкурсу. Он имеет правительственные награды.

Желаем Вячеславу Александровичу долгих лет жизни, крепкого здоровья, оставаться примером достойного человека, совершить ещё немало открытий и научных достижений.

Журнал «Известия вузов». Материал «Электронной техники»